原子層沉積（ALD）用臭氧原理步驟及品牌

ALD是一種先進的薄膜沉積技術，其核心原理是利用化學反應的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長薄膜。ALD（原子層沉積）中使用臭氧（O?）作為反應氣體，其原理主要基于臭氧的強氧化性。以下是ALD中使用臭氧的基本原理：

1. 表面反應

   氧化作用：臭氧在ALD中常用于氧化前驅體，形成金屬氧化物薄膜。臭氧與吸附在基底表面的前驅體分子反應，生成氧化物并釋放副產物。

   自限性反應：ALD反應是自限性的，臭氧與前驅體反應后，表面活性位點被消耗，反應自動停止，確保薄膜均勻且厚度可控。

2. 反應步驟

   前驅體脈沖：將金屬前驅體引入反應室，吸附在基底表面。

   吹掃：用惰性氣體清除未反應的前驅體和副產物。

   臭氧脈沖：引入臭氧，與前驅體反應生成氧化物。

   吹掃：再次用惰性氣體清除未反應的臭氧和副產物。

3. 臭氧的優勢

   強氧化性：臭氧能在較低溫度下實現高效氧化，適合熱敏感材料。

   高質量薄膜：臭氧有助于形成致密、均勻的氧化物薄膜，減少缺陷。

4. 應用

   薄膜沉積：臭氧廣泛用于沉積如Al?O?、TiO?、ZnO等高質量氧化物薄膜。

   半導體制造：在半導體工藝中，臭氧用于制備高介電常數材料和柵極氧化物。

5. 注意事項

   安全性：臭氧有毒且具強氧化性，需嚴格控制濃度并配備廢氣處理系統。

   工藝優化：臭氧濃度、脈沖時間和溫度等參數需優化，以確保薄膜質量和工藝效率。

總結

ALD中使用臭氧主要利用其強氧化性，通過自限性反應形成高質量的氧化物薄膜，廣泛應用于半導體和納米技術領域。ALD用到的臭氧發生器品牌有MKS、日本住友、同林代理的Atlas- H30。